SSD

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с

512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 70000/60000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, SLC-кэш

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6200/2300 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/470 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps, DRAM-буфер

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps