Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
870 Evo 500GB MZ-77E500BW
870 Evo 250GB MZ-77E250BW
Samsung 870 Evo 4TB MZ-77E4T0BW
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Основные |
|
Объём | 2 ТБ |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Контроллер | Samsung MKX |
Ресурс записи | 1200 TBW |
Технические характеристики |
|
Кэш | DRAM-буфер |
Объем DRAM-буфера | 2048 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 88 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 2.5 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.035 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 6.8 мм |
Охлаждение | нет |
Подсветка | нет |
Комплектация |
|
Вариант поставки | розничная |
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 96000/51000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 96000/51000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4800/4400 МБайт/с, случайный доступ: 225000/180200 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4800/4400 МБайт/с, случайный доступ: 225000/180200 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с, случайный доступ: 290000/415000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с, случайный доступ: 290000/415000 IOps, SLC-кэш