Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #1 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #2 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #3 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #4 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #5 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #6 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #7 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #8 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #9 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #10 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #11 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #12 Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW Image #13
SSD Samsung Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW

SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
370,66 руб.
В наличии

Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

Другие модификации товара:

500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND по цене 243,36 руб.
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND по цене 692,86 руб.
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND по цене 193,00 руб.
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND по цене 1 291,22 руб.

Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея

Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Объём 1 ТБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
Кэш DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 1024 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 2.5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 6.8 мм
Охлаждение нет
Подсветка нет
Комплектация
Вариант поставки розничная
Адаптер 3.5" нет

Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
На данный товар еще нет отзывов

Похожие товары

Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

370,00 руб.
Купить
Netac N950E Pro 1TB (без радиатора)
Netac N950E Pro 1TB (без радиатора)

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

366,85 руб.
Купить
Samsung 870 QVO 1TB MZ-77Q1T0BW
Samsung 870 QVO 1TB MZ-77Q1T0BW

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

375,04 руб.
Купить
GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3
GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps

361,00 руб.
Купить