Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 5 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
128 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
Гарантия 12 месяцев
Изготовитель: Нингбо Генин Индастриал Компани, ЛТД. Китай, 11-й этаж, ЛиЮанШангДу здание А2, #201 обслу Роад, Нинбо
Импортеры: Частное предприятие "Неолинк", 220055, г. Минск, КАМЕННОГОРСКАЯ ул., дом № 45, офис 203
Сервисные центры: ЧТУП «Неолинк» г. Минск, ул. Скрыганова, д. 6А, пом.25 +375 (17) 256-18-17, +375(33) 300-13-16
Общая информация |
|
| Дата выхода на рынок | 2020 г. |
Основные |
|
| Объём | 2 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 640 TBW |
Технические характеристики |
|
| Аппаратное шифрование | нет |
| Скорость последовательного чтения | 2 100 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1 650 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 290 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 260 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.38 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.38 Вт |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка | нет |
Комплектация |
|
| Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 5 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, совместимость с PS5