Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
Samsung 870 QVO 8TB MZ-77Q8T0BW
Samsung 870 QVO 2TB MZ-77Q2T0BW
Samsung 870 QVO 4TB MZ-77Q4T0BW
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2020 г. |
Основные |
|
Объём | 1 ТБ |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
Контроллер | Samsung MKX |
Ресурс записи | 360 TBW |
Технические характеристики |
|
Кэш | DRAM-буфер |
Объем DRAM-буфера | 1024 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 88 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 2.2 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.003 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 6.8 мм |
Охлаждение | нет |
Подсветка | нет |
Комплектация |
|
Комплект поставки | отдельный накопитель в картонной коробке |
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 MBps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 MBps, совместимость с PS5