Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
                                      
                      
                                                      2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND
                                                 
                                      
                      
                                                      4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND
                                                 
                                
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2020 г. | 
| Основные | |
| Объём | 1 ТБ | 
| Форм-фактор | 2.5" | 
| Интерфейс | SATA 3.0 | 
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND | 
| Контроллер | Samsung MKX | 
| Ресурс записи | 360 TBW | 
| Технические характеристики | |
| Кэш | DRAM-буфер | 
| Объем DRAM-буфера | 1024 МБ | 
| Аппаратное шифрование | AES 256bit | 
| Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с | 
| Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с | 
| Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps | 
| Средняя скорость случайной записи | 88 000 IOps | 
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.2 Вт | 
| Энергопотребление (ожидание) | 0.003 Вт | 
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч | 
| Толщина | 6.8 мм | 
| Охлаждение | нет | 
| Подсветка | нет | 
| Комплектация | |
| Комплект поставки | отдельный накопитель в картонной коробке | 
| Адаптер 3.5" | нет | 
Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.
Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
          1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
        
          M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6000 MBps, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
        
          M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6000 MBps, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер