Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 2 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
| Дата выхода на рынок | 2020 г. |
Основные |
|
| Объём | 2 ТБ |
| Форм-фактор | 2.5" |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
| Контроллер | Samsung MKX |
| Ресурс записи | 720 TBW |
Технические характеристики |
|
| Кэш | DRAM-буфер |
| Объем DRAM-буфера | 2048 МБ |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 88 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 3 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.004 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 6.8 мм |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка | нет |
Комплектация |
|
| Комплект поставки | отдельный накопитель в картонной коробке |
| Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 2 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5