Доставка по Минску 7 дней, 6,00 руб.
Доставка по Беларуси 9 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
870 Evo 500GB MZ-77E500BW
Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
Samsung 870 Evo 4TB MZ-77E4T0BW
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Основные |
|
Объём | 250 ГБ |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
Контроллер | Samsung MGX |
Ресурс записи | 150 TBW |
Технические характеристики |
|
Буфер | 512 МБ (LPDDR4) |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 560 МБ/с |
Скорость последовательной записи | 530 МБ/с |
Средняя скорость случайного чтения | 98 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 88 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 3.5 Вт (макс.) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 6.8 мм |
Охлаждение | нет |
Подсветка | нет |
Комплектация |
|
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 7 дней, 6,00 руб.
Доставка по Беларуси 9 дней, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2400 МБайт/с
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2400 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2600 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2600 МБайт/с
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1900 MBps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1900 MBps