SSD

250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps

512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1000 MBps, случайный доступ: 90000/150000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps

1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps

480 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1700/1500 MBps, случайный доступ: 280000/250000 IOps

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1900 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050/1650 MBps, случайный доступ: 240000/280000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, SLC-кэш

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps