Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Основные |
|
Объём | 4 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 2400 TBW |
Технические характеристики |
|
Кэш | DRAM-буфер |
Объем DRAM-буфера | 4096 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 7 450 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 6 900 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 1 600 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 1 550 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 6.5 Вт (режим Burst 8.6 Вт) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 8.88 мм (с радиатором) |
Охлаждение | есть |
Подсветка | нет |
Совместимость с PS5 | есть |
Комплектация |
|
Вариант поставки | розничная |
Комплект поставки | ПО Samsung Magician для управления SSD |
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3140/780 МБайт/с, случайный доступ: 270000/20000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3140/780 МБайт/с, случайный доступ: 270000/20000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps