SSD

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 700000/800000 IOps

250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps

M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1950 MBps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1600 MBps, случайный доступ: 350000/400000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3800/2800 МБайт/с, случайный доступ: 190000/540000 IOps

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/2700 MBps, случайный доступ: 200000/440000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3500/2100 MBps

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps, совместимость с PS5

480 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1700/1500 MBps, случайный доступ: 280000/250000 IOps