Найдено 237 товаров
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
        
          256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
        
          256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps
        
          480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/490 МБайт/с, случайный доступ: 95000/18000 IOps
        
          480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/490 МБайт/с, случайный доступ: 95000/18000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 440000/150000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 440000/150000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 99000/17000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 99000/17000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
        
          4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
        
          512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
        
          512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps
        
          2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/320 MBps
        
          2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/320 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
        
          2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
        
          2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
        
          2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
        
          M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
        
          M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
        
          512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 173000/140000 IOps
        
          512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 173000/140000 IOps