SSD

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 540/490 MBps

2.5", SATA 3.0

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 5000/4800 MBps, случайный доступ: 620000/550000 IOps

2 ТБ, mSATA, SATA 3.0, последовательный доступ: 545/500 MBps

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2018/1309 MBps