Найден 251 товар
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/320 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/320 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с, SLC-кэш
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
4 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3100/1600 MBps, случайный доступ: 220000/180000 IOps
4 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3100/1600 MBps, случайный доступ: 220000/180000 IOps