Найдено 230 товаров
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
250 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3000/1300 MBps
250 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3000/1300 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 MBps, случайный доступ: 600000/600000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 50000/57000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 50000/57000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050/1650 MBps, случайный доступ: 240000/280000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050/1650 MBps, случайный доступ: 240000/280000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с