SSD

256 ГБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 59000/73000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы TLC, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1150000/200000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/540 MBps, случайный доступ: 85000/75000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 1800/1000 МБайт/с

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/85000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с

2.5", SATA 3.0

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/320 MBps, случайный доступ: 56000/79000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш

2.048 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/53000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1200 MBps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2800 МБайт/с, случайный доступ: 500000/600000 IOps, SLC-кэш

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 173000/140000 IOps