GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #1 GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #2 GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #3 GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #4 GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #5 GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3 Image #6
SSD GOODRAM GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3

SSD GOODRAM CL100 Gen. 3 240GB SSDPR-CL100-240-G3

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps
361,00 руб.
В наличии

Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

Другие модификации товара:

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND по цене 415,00 руб.

Изготовитель: Вилк Электроник СА. Ул Польша,. Миколовска 42 43-173 Велькопольски Гурне


Общая информация
Дата выхода на рынок 2020 г.
Основные
Объём 240 ГБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Phison PS3110-S10
Технические характеристики
Аппаратное шифрование нет
Скорость последовательного чтения 520 МБ/с
Скорость последовательной записи 400 МБ/с
Толщина 7 мм
Охлаждение нет
Подсветка нет
Комплектация
Адаптер 3.5" нет

Доставка по Минску 4 дня, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 5 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
На данный товар еще нет отзывов

Похожие товары

Netac N950E Pro 1TB (без радиатора)

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер

366,85 руб.
Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

370,00 руб.
Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

370,66 руб.
Samsung 870 QVO 1TB MZ-77Q1T0BW

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

375,04 руб.