Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #1 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #2 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #3 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #4 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #5 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #6 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #7 Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW Image #8
SSD Samsung Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps
399,00 руб.
В наличии

Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

Другие модификации товара:

Samsung 990 Evo 2TB MZ-V9E2T0BW по цене 549,89 руб.

Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея


Общая информация
Дата выхода на рынок 2024 г.
Основные
Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 5.0 x2  (NVMe 2.0)
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung Piccolo
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
Кэш нет
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 5 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 4 200 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 680 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 800 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.06 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение нет
Подсветка нет
Комплектация
Вариант поставки розничная
Адаптер 3.5" нет

Доставка по Минску 8 дней, 5,00 руб.

Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
На данный товар еще нет отзывов

Похожие товары

AGI AI818 2TB AGI2T0G43AI818

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с

397,60 руб.
Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер

396,42 руб.
Micron 7450 Pro M.2 2280 960GB MTFDKBG960TFR

960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps

960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps

396,00 руб.
GOODRAM CL100 Gen. 3 960GB SSDPR-CL100-960-G3

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 MBps

395,15 руб.