Доставка по Минску 3 дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 4 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2024 г. | 
| Основные | |
| Объём | 2 ТБ | 
| Форм-фактор | M.2 | 
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0) | 
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | 
| Контроллер | Samsung Piccolo | 
| Размеры устройств M.2 | 2280 | 
| Ресурс записи | 1200 TBW | 
| Технические характеристики | |
| Кэш | нет | 
| Аппаратное шифрование | AES 256bit | 
| Скорость последовательного чтения | 5 000 Мбайт/с | 
| Скорость последовательной записи | 4 200 Мбайт/с | 
| Средняя скорость случайного чтения | 700 000 IOps | 
| Средняя скорость случайной записи | 800 000 IOps | 
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.5 Вт | 
| Энергопотребление (ожидание) | 0.06 Вт | 
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч | 
| Толщина | 2.38 мм | 
| Охлаждение | нет | 
| Подсветка | нет | 
| Комплектация | |
| Вариант поставки | розничная | 
| Адаптер 3.5" | нет | 
Доставка по Минску 3 дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 4 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
          2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps