Доставка по Минску 3 дня, 6,00 руб.
Доставка по Беларуси 4 дня, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
                                      
                      
                                                      1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND
                                                 
                                      
                      
                                                      500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND
                                                 
                                
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2019 г. | 
| Основные | |
| Объём | 250 ГБ | 
| Форм-фактор | M.2 | 
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) | 
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND | 
| Контроллер | Samsung Phoenix | 
| Технические характеристики | |
| Буфер | 512 МБ (Low Power DDR4) | 
| Аппаратное шифрование | AES 256bit | 
| Скорость последовательного чтения | 3 500 МБ/с | 
| Скорость последовательной записи | 2 300 МБ/с | 
| Средняя скорость случайного чтения | 250 000 IOps | 
| Средняя скорость случайной записи | 550 000 IOps | 
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5 Вт | 
| Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт | 
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч | 
| Размеры устройств M.2 | 2280 | 
| Толщина | 2.38 мм | 
| Охлаждение | нет | 
| Комплектация | |
| Адаптер 3.5" | нет | 
Доставка по Минску 3 дня, 6,00 руб.
Доставка по Беларуси 4 дня, от 10,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
          M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1600 MBps, случайный доступ: 350000/400000 IOps
        
          M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1600 MBps, случайный доступ: 350000/400000 IOps
        
          512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6200/2300 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
        
          512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6200/2300 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
        
          500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/3000 МБайт/с
        
          500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/3000 МБайт/с
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
        
          2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps