Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 2 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
2 ТБ, M.2, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND
Изготовитель: Кингстон Технолоджи Компани, ИНК. 17600 Ньюхоуп Стрит, Фаунтэйн Вэли, Калифорния 92708, США
Общая информация |
|
| Дата выхода на рынок | 2025 г. |
Основные |
|
| Объём | 4 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2508 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 4000 TBW |
Технические характеристики |
|
| DRAM-буфер | есть |
| Аппаратное шифрование | нет |
| Скорость последовательного чтения | 14 800 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 14 000 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 2 200 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 2 200 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 7.1 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.27 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Толщина | 2.3 мм |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка | нет |
| Совместимость с PS5 | есть |
Комплектация |
|
| Тип поставки | RTL (Retail) |
Доставка по Минску в течение дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 2 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
800 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/156000 IOps
800 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/156000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер