Найден 21 товар
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
        
          частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
        
          4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
        
          4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
        
          1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
        
          частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
        
          16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
        
          1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
        
          1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В