Доставка по Минску 7 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 9 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0CW
Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Основные |
|
Объём | 2 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 1200 TBW |
Технические характеристики |
|
Кэш | DRAM-буфер |
Объем DRAM-буфера | 2048 МБ |
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 7 450 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 6 900 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 1 400 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 1 550 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.5 Вт (режим Burst 8.5 Вт) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Толщина | 8.2 мм (с радиатором) |
Охлаждение | есть |
Подсветка | нет |
Совместимость с PS5 | есть |
Комплектация |
|
Вариант поставки | розничная |
Комплект поставки | ПО Samsung Magician для управления SSD |
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 7 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 9 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1800000/1300000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1800000/1300000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш