Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Другие модификации товара:
PM897 960GB MZ7L3960HBLT-00A07
PM897 3.84TB MZ7L33T8HBNA-00A07
PM897 1.92TB MZ7L31T9HBNA-00A07
Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея
Основные |
|
Объём | 480 ГБ |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Технические характеристики |
|
Аппаратное шифрование | AES 256bit |
Скорость последовательного чтения | 550 МБ/с |
Скорость последовательной записи | 470 МБ/с |
Средняя скорость случайного чтения | 97 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 32 000 IOps |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
Толщина | 7 мм |
Охлаждение | нет |
Подсветка | нет |
Комплектация |
|
Вариант поставки | OEM |
Адаптер 3.5" | нет |
Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1800000/1300000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1800000/1300000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps