Доставка по Минску 3 дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 4 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Изготовитель: Кингстон Технолоджи Компани, ИНК. 17600 Ньюхоуп Стрит, Фаунтэйн Вэли, Калифорния 92708, США
| Общая информация | |
| Дата выхода на рынок | 2019 г. | 
| Основные | |
| Объём | 480 ГБ | 
| Форм-фактор | 2.5" | 
| Интерфейс | SATA 3.0 | 
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | 
| Технические характеристики | |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit | 
| Скорость последовательного чтения | 560 МБ/с | 
| Скорость последовательной записи | 510 МБ/с | 
| Средняя скорость случайного чтения | 99 000 IOps | 
| Средняя скорость случайной записи | 17 000 IOps | 
| Энергопотребление (чтение/запись) | 1.25 Вт | 
| Энергопотребление (ожидание) | 1.05 Вт | 
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч | 
| Ресурс записи | 285 TBW | 
| Толщина | 7 мм | 
| Охлаждение | нет | 
| Подсветка | нет | 
| Комплектация | |
| Комплект поставки | отдельный накопитель | 
| Адаптер 3.5" | нет | 
Доставка по Минску 3 дня, бесплатная
Доставка по Беларуси 4 дня, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
        
          1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
        
          960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
        
          2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5