Samsung M471A1G44BB0-CWE Image #1
Оперативная память Samsung Samsung M471A1G44BB0-CWE

Оперативная память Samsung M471A1G44BB0-CWE

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
88,41 руб.
В наличии

Доставка по Минску 8 дней, 7,00 руб.

Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

Изготовитель: Самсунг Электроникс Компани, ЛТД. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон, Кенги-до, 443-742, Республика Корея


Основные
Набор 1 модуль
Общий объем 8 ГБ
Тип DDR4 SO-DIMM
ECC нет
Частота 3200 МГц
PC-индекс PC4-25600
Напряжение питания 1.2 В
Технические характеристики
Количество ранков 1
Профили XMP нет
Конструкция
Охлаждение нет
Низкопрофильный модуль нет
Подсветка элементов платы нет
Цвет зеленый

Доставка по Минску 8 дней, 7,00 руб.

Доставка по Беларуси 10 дней, от 10,00 руб.

(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)

С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
На данный товар еще нет отзывов

Похожие товары

Patriot Signature Line 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 PSD416G32002S

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

90,79 руб.
Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBSFU266B02

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

85,90 руб.
AMD Radeon 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 R9416G3206S2S-UO

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

85,80 руб.
QUMO QUM4S-16G3200P22

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

93,05 руб.