Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Изготовитель: Интел Корпорейшн. 2200 Мишн Колледж, Бульвар Санта Клара, Калифорния 95054, США
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2021 г. |
Технические характеристики |
|
Модельный ряд | Xeon |
Тип поставки | OEM |
Охлаждение в комплекте | нет |
Кодовое название кристалла | Ice Lake |
Сокет | LGA4189 |
Количество ядер | 18 |
Максимальное количество потоков | 36 |
Базовая тактовая частота | 3 ГГц |
Максимальная частота | 3.6 ГГц |
Кэш L3 | 39 МБ |
Поддержка памяти | DDR4 |
Количество каналов памяти | 8 |
Макс. частота памяти | 3 200 МГц |
Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 4.0 x16 |
Конфигурация контроллера PCIe | Макс. кол-во каналов PCI Express - 64 |
Встроенная графика | нет |
Расчетная тепловая мощность (TDP) | 205 Вт |
Техпроцесс | 10 нм |
Многопоточность ядра | есть |
Виртуализация Intel VT-x | есть |
Виртуализация Intel VT-d | есть |
Защищенная платформа Intel TXT | есть |
Доставка по Минску 8 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 10 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.5/2.2 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.5/2.2 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W
Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.4/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.4/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 20 ядер, 40 потоков, частота 3.5/2.3 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W
2021 г, Ice Lake, LGA4189, 20 ядер, 40 потоков, частота 3.5/2.3 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W