Доставка по Минску 9 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 11 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
Изготовитель: Интел Корпорейшн. 2200 Мишн Колледж, Бульвар Санта Клара, Калифорния 95054, США
Общая информация |
|
Дата выхода на рынок | 2023 г. |
Технические характеристики |
|
Модельный ряд | Xeon |
Тип поставки | OEM |
Охлаждение в комплекте | нет |
Кодовое название кристалла | Sapphire Rapids |
Сокет | LGA4677 |
Количество ядер | 12 |
Максимальное количество потоков | 24 |
Базовая тактовая частота | 2.4 ГГц |
Максимальная частота | 4.1 ГГц |
Кэш L3 | 30 МБ |
Поддержка памяти | DDR5 |
Количество каналов памяти | 8 |
Макс. частота памяти без разгона | 4 400 МГц |
Конфигурация памяти | макс. объем поддерживаемой памяти - 4TBподдержка планок с ECC |
Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 5.0 |
Конфигурация контроллера PCIe | макс. количество линий PCI Express - 80 |
Встроенная графика | нет |
Базовая расчетная тепловая мощность (TDP) | 150 Вт |
Техпроцесс | 10 нм |
Многопоточность ядра | есть |
ИИ-ускоритель (NPU) | нет |
Виртуализация Intel VT-x | есть |
Виртуализация Intel VT-d | есть |
Защищенная платформа Intel TXT | есть |
Доставка по Минску 9 дней, бесплатная
Доставка по Беларуси 11 дней, от 15,00 руб.
(наличие, комплектацию, точную стоимость товара и доставки уточняйте у менеджера)
С подробными условиями доставки и оплаты вы можете ознакомиться в разделе "Доставка и оплата"
2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.6 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W
2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.6 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W
Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, частота 3.9/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 150W
Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, частота 3.9/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 150W
Sapphire Rapids, LGA4677, 10 ядер, частота 4/2.7 ГГц, кэш 26.25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W
Sapphire Rapids, LGA4677, 10 ядер, частота 4/2.7 ГГц, кэш 26.25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W